TVS管(guǎn)與(yǔ)ESD保護二(èr)极(jí)管(guǎn)的(de)區(qū)别

   ESD静電(diàn)放(fàng)電(diàn)，TVS瞬變(biàn)電(diàn)壓抑制二(èr)极(jí)管(guǎn)，今天(tiān)，小編想(xiǎng)分(fēn)享的(de)是(shì)它们(men)的(de)主(zhǔ)要區(qū)别。

   TVS管(guǎn)和(hé)ESD管(guǎn)的(de)區(qū)别在(zài)于(yú)工作(zuò)原理相同(tóng)，但功率和(hé)封(fēng)裝(zhuāng)不(bù)同(tóng)；ESD主(zhǔ)要用(yòng)于(yú)防静電(diàn)，要求電(diàn)容值低(dī)；TVS做不(bù)到(dào)这(zhè)一(yī)點(diǎn)，因(yīn)为TVS的(de)電(diàn)容比較高(gāo)。

   瞬态二(èr)极(jí)管(guǎn)（Transient Voltage Suppressor）簡稱TVS，是(shì)一(yī)種(zhǒng)二(èr)极(jí)管(guǎn)形式的(de)高(gāo)效能(néng)保護器件(jiàn)。

   當TVS二(èr)极(jí)管(guǎn)的(de)两(liǎng)极(jí)受到(dào)反(fǎn)向(xiàng)瞬态高(gāo)能(néng)沖击时(shí)，它以(yǐ)10的(de)負12次(cì)方(fāng)秒(miǎo)級的(de)速度(dù)将两(liǎng)极(jí)間(jiān)的(de)高(gāo)阻抗變(biàn)为低(dī)阻抗，吸收高(gāo)达(dá)數千(qiān)瓦(wǎ)的(de)浪湧電(diàn)力，将两(liǎng)极(jí)間(jiān)的(de)電(diàn)壓箝位(wèi)在(zài)一(yī)定(dìng)值，有(yǒu)效地(dì)保護電(diàn)子線(xiàn)路(lù)中(zhōng)的(de)精密元 器件(jiàn)，免受各(gè)種(zhǒng)浪湧脈沖的(de)損壞。

   静電(diàn)放(fàng)電(diàn)即ESD（Electro-Static discharge），是(shì)指具有(yǒu)不(bù)同(tóng)静電(diàn)電(diàn)位(wèi)的(de)物(wù)體(tǐ)互相靠近(jìn)或(huò)直(zhí)接接觸引起(qǐ)的(de)電(diàn)荷转移。

   ESD是(shì)20世紀中(zhōng)期(qī)以(yǐ)来(lái)形成(chéng)的(de)以(yǐ)研究静電(diàn)的(de)产生(shēng)、危害及(jí)静電(diàn)防護等的(de)學(xué)科，因(yīn)此(cǐ)，国際上(shàng)習慣将用(yòng)于(yú)静電(diàn)防護的(de)器材統稱为ESD。

TVS瞬态電(diàn)壓抑制。

   这(zhè)里(lǐ)，無論TV  (瞬态電(diàn)壓)如(rú)何發(fà)生(shēng)，如(rú)直(zhí)接或(huò)間(jiān)接雷(léi)击、静電(diàn)放(fàng)電(diàn)、大(dà)容量(liàng)負载(zài)切斷等因(yīn)素引起(qǐ)的(de)浪湧等，電(diàn)壓都在(zài)幾(jǐ)伏到(dào)幾(jǐ)十(shí)千(qiān)伏以(yǐ)上(shàng)。

 　ESD静電(diàn)放(fàng)電(diàn)保護，这(zhè)里(lǐ)的(de)ES主(zhǔ)要表(biǎo)現(xiàn)为3種(zhǒng)模型。 其中(zhōng)主(zhǔ)要的(de)應(yìng)用(yòng)是(shì)HBM和(hé)MM，簡單来(lái)说(shuō)就(jiù)是(shì)人或(huò)設備对(duì)器件(jiàn)放(fàng)電(diàn)(静電(diàn))，但器件(jiàn)不(bù)能(néng)損壞。

   典型的(de)HBM CLASS 1C模型規定(dìng)一(yī)个(gè)充電(diàn)1000V-2000V的(de)100pF的(de)電(diàn)容通(tòng)过(guò)一(yī)个(gè)1500歐姆的(de)電(diàn)阻对(duì)器件(jiàn)放(fàng)電(diàn).MM模型要比人體(tǐ)模型能(néng)量(liàng)大(dà)一(yī)些(xiē).電(diàn)容是(shì)200pF,電(diàn)壓大(dà)概在(zài)200-400之(zhī)間(jiān),不(bù)过(guò)沒(méi)有(yǒu)串聯電(diàn)阻了(le).

   1、典型的(de)人體(tǐ)模型放(fàng)電(diàn),峰(fēng)值電(diàn)流小于(yú)0.75A,时(shí)間(jiān)150ns

   2、典型的(de)機(jī)器模型放(fàng)電(diàn),峰(fēng)值電(diàn)流小于(yú)8A,时(shí)間(jiān)5ns

   3、典型的(de)雷(léi)击浪湧(電(diàn)力線(xiàn)入(rù)線(xiàn)處(chù)使用(yòng)的(de)TVS)峰(fēng)值電(diàn)流3000A,时(shí)間(jiān)20us。

   原理相同(tóng)，但因(yīn)電(diàn)力和(hé)封(fēng)裝(zhuāng)而(ér)异(yì)，通(tòng)过(guò)分(fēn)别对(duì)其進(jìn)行符合IEC61000-4-2标(biāo)準的(de)+/-8KV接觸放(fàng)電(diàn),分(fēn)析捕获的(de)IEC波(bō)型可(kě)以(yǐ)得知,TVS管(guǎn)保護性能(néng)強(qiáng)过(guò)贴片(piàn)壓敏很多(duō)倍.

   變(biàn)阻器采用(yòng)的(de)是(shì)物(wù)理吸收的(de)原理，每當ESD事(shì)件(jiàn)發(fà)生(shēng)时(shí)，材料都会(huì)受到(dào)一(yī)定(dìng)的(de)物(wù)理損傷，形成(chéng)的(de)漏電(diàn)路(lù)徑，而(ér)TVS管(guǎn)采用(yòng)的(de)是(shì)半導體(tǐ)箝位(wèi)的(de)原理，在(zài)ESD事(shì)件(jiàn)發(fà)生(shēng)时(shí)，会(huì)瞬間(jiān)傳遞能(néng)量(liàng)，不(bù)会(huì)影響器件(jiàn)本(běn)身(shēn)。

   與(yǔ)的(de)情(qíng)況不(bù)同(tóng)，TVS管(guǎn)一(yī)般用(yòng)于(yú)處(chù)置級和(hé)二(èr)次(cì)保護，ESD主(zhǔ)要用(yòng)于(yú)闆級保護，選擇TVS管(guǎn)一(yī)般是(shì)看(kàn)器件(jiàn)的(de)功率和(hé)封(fēng)裝(zhuāng)，ESD器件(jiàn)一(yī)般看(kàn)中(zhōng)的(de)是(shì)它的(de)ESD rating (HBM/MM)和(hé)IEC61000-4-2的(de)LEVEL,高(gāo)速的(de)USB和(hé)I/O很重(zhòng)視它的(de)容值。