MOS管(guǎn)和(hé)IGBT管(guǎn)有(yǒu)什(shén)麼(me)區(qū)别

電(diàn)子電(diàn)路(lù)中(zhōng)经常出現(xiàn)MOS管(guǎn)和(hé)IGBT管(guǎn)，都可(kě)以(yǐ)作(zuò)为開(kāi)關(guān)元件(jiàn)使用(yòng)，MOS管(guǎn)和(hé)IGBT管(guǎn)的(de)外形和(hé)特性參數也(yě)相似，为什(shén)麼(me)有(yǒu)些(xiē)電(diàn)路(lù)使用(yòng)MOS管(guǎn)?还有(yǒu)部分(fēn)電(diàn)路(lù)使用(yòng)IGBT管(guǎn)嗎?現(xiàn)在(zài)，讓我(wǒ)们(men)来(lái)了(le)解(jiě)一(yī)下(xià)MOS管(guǎn)和(hé)IGBT管(guǎn)的(de)區(qū)别!

什(shén)麼(me)是(shì)MOS管(guǎn)道(dào)?

场(chǎng)效應(yìng)管(guǎn)主(zhǔ)要有(yǒu)两(liǎng)種(zhǒng)類(lèi)型：結场(chǎng)效應(yìng)管(guǎn)(JFET)和(hé)絕緣栅场(chǎng)效應(yìng)管(guǎn)(MOS管(guǎn))。

MOS管(guǎn)是(shì)MOSFET，中(zhōng)文(wén)全(quán)稱是(shì)金(jīn)屬氧化(huà)物(wù)半導體(tǐ)场(chǎng)效應(yìng)晶體(tǐ)管(guǎn)，該场(chǎng)效應(yìng)管(guǎn)的(de)栅极(jí)被絕緣层(céng)隔離，因(yīn)此(cǐ)也(yě)稱为絕緣栅场(chǎng)效應(yìng)管(guǎn)。

MOSFET可(kě)分(fēn)为N家(jiā)枯竭類(lèi)型和(hé)增強(qiáng)。P沟(gōu)槽枯竭類(lèi)型和(hé)增強(qiáng)的(de)四(sì)个(gè)主(zhǔ)要類(lèi)别。

一(yī)些(xiē)MOSFET內(nèi)部有(yǒu)二(èr)极(jí)管(guǎn)，即體(tǐ)二(èr)极(jí)管(guǎn)、寄生(shēng)二(èr)极(jí)管(guǎn)和(hé)二(èr)流二(èr)极(jí)管(guǎn)。

關(guān)于(yú)寄生(shēng)二(èr)极(jí)管(guǎn)的(de)作(zuò)用(yòng)有(yǒu)两(liǎng)種(zhǒng)解(jiě)釋。

1、MOSFET寄生(shēng)二(èr)极(jí)管(guǎn)在(zài)防止VDD超壓的(de)情(qíng)況下(xià)起(qǐ)到(dào)燃燒MOS管(guǎn)的(de)作(zuò)用(yòng)。这(zhè)是(shì)因(yīn)为，在(zài)超壓对(duì)MOS管(guǎn)造成(chéng)損傷之(zhī)前(qián)，二(èr)极(jí)管(guǎn)首先(xiān)反(fǎn)向(xiàng)穿透，将高(gāo)電(diàn)流直(zhí)接降至(zhì)地(dì)面(miàn)，防止MOS管(guǎn)燃燒。

2.防止MOS管(guǎn)道(dào)的(de)源极(jí)和(hé)泄漏發(fà)生(shēng)反(fǎn)接觸时(shí)燃燒MOS管(guǎn)道(dào)，或(huò)者(zhě)在(zài)電(diàn)路(lù)有(yǒu)反(fǎn)感(gǎn)應(yìng)電(diàn)壓时(shí)提(tí)供反(fǎn)感(gǎn)應(yìng)電(diàn)壓的(de)路(lù)徑，防止反(fǎn)感(gǎn)應(yìng)電(diàn)壓击穿MOS管(guǎn)道(dào)。

MOSFET具有(yǒu)輸入(rù)阻抗高(gāo)、開(kāi)關(guān)速度(dù)快(kuài)、热(rè)穩定(dìng)性好(hǎo)、電(diàn)壓控制電(diàn)流等特性，可(kě)在(zài)電(diàn)路(lù)中(zhōng)用(yòng)于(yú)放(fàng)大(dà)器、電(diàn)子開(kāi)關(guān)等用(yòng)途。

IGBT是(shì)什(shén)麼(me)?

IGBT作(zuò)为一(yī)種(zhǒng)新(xīn)型電(diàn)子半導體(tǐ)裝(zhuāng)置，在(zài)輸入(rù)阻抗高(gāo)、電(diàn)壓控制功耗低(dī)、控制電(diàn)路(lù)簡單、耐壓強(qiáng)、電(diàn)流大(dà)等多(duō)種(zhǒng)電(diàn)子電(diàn)路(lù)中(zhōng)得到(dào)廣泛應(yìng)用(yòng)。

IGBT的(de)電(diàn)路(lù)符号(hào)到(dào)目前(qián)为止还沒(méi)有(yǒu)統一(yī)。绘制原理图(tú)时(shí)，通(tòng)常借(jiè)用(yòng)三(sān)极(jí)管(guǎn)、MOS管(guǎn)道(dào)的(de)符号(hào)。此(cǐ)时(shí)，您可(kě)以(yǐ)在(zài)原理图(tú)上(shàng)顯示的(de)模型中(zhōng)确認是(shì)IGBT还是(shì)MOS管(guǎn)道(dào)。

IGBT內(nèi)部的(de)體(tǐ)二(èr)极(jí)管(guǎn)不(bù)是(shì)寄生(shēng)，而(ér)是(shì)專門(mén)为保護IGBT脆弱(ruò)的(de)逆內(nèi)壓而(ér)設置的(de)，也(yě)稱为速流二(èr)极(jí)管(guǎn)(FWD)。

判斷IGBT內(nèi)部是(shì)否有(yǒu)體(tǐ)二(èr)极(jí)管(guǎn)也(yě)不(bù)難。用(yòng)万(wàn)用(yòng)表(biǎo)可(kě)以(yǐ)測量(liàng)IGBT的(de)C极(jí)和(hé)E极(jí)。如(rú)果(guǒ)IGBT好(hǎo)，C，E极(jí)的(de)電(diàn)阻值被測定(dìng)为無穷大(dà)，那(nà)麼(me)IGBT就(jiù)沒(méi)有(yǒu)體(tǐ)二(èr)极(jí)管(guǎn)。

IGBT适用(yòng)于(yú)交流電(diàn)機(jī)、逆變(biàn)器、開(kāi)關(guān)電(diàn)源、照明(míng)電(diàn)路(lù)、牽引驅動(dòng)器等領域。

MOS tube和(hé)IGBT的(de)結構特點(diǎn)：

IGBT是(shì)通(tòng)过(guò)在(zài)MOSFET的(de)泄漏中(zhōng)添加层(céng)来(lái)構造的(de)。