什(shén)麼(me)是(shì)NMOS3400管(guǎn)？

NMOS3400管(guǎn)是(shì)電(diàn)子工程师必須掌握的(de)零(líng)部件(jiàn)，在(zài)实際應(yìng)用(yòng)中(zhōng)也(yě)比較常見(jiàn)。那(nà)麼(me)，我(wǒ)将在(zài)下(xià)面(miàn)詳细(xì)介绍一(yī)下(xià)对(duì)MOS  了(le)解(jiě)多(duō)少(shǎo)。

　　什(shén)麼(me)是(shì)NMOS3400管(guǎn)？

　　MOS管(guǎn)是(shì)金(jīn)屬(METAL)-氧化(huà)物(wù)(Oxide)-半導體(tǐ)(semiconductor)场(chǎng)效應(yìng)晶體(tǐ)管(guǎn)或(huò)金(jīn)屬-絕緣體(tǐ)(Insulator)-半導體(tǐ)。MOS管(guǎn)中(zhōng)的(de)source和(hé)drain都是(shì)P型backgate形成(chéng)的(de)N型區(qū)域。在(zài)大(dà)多(duō)數情(qíng)況下(xià)，这(zhè)两(liǎng)个(gè)區(qū)域是(shì)相同(tóng)的(de)。两(liǎng)端互相接觸对(duì)設備性能(néng)沒(méi)有(yǒu)影響。这(zhè)些(xiē)設備被認为是(shì)对(duì)稱的(de)。

　　陽极(jí)型晶體(tǐ)管(guǎn)放(fàng)大(dà)輸入(rù)端電(diàn)流的(de)微小變(biàn)化(huà)，然後(hòu)在(zài)輸出端輸出較大(dà)的(de)電(diàn)流變(biàn)化(huà)。双(shuāng)极(jí)晶體(tǐ)管(guǎn)的(de)增益被定(dìng)義为輸出輸入(rù)電(diàn)流的(de)比率()。另(lìng)一(yī)个(gè)晶體(tǐ)管(guǎn)稱为场(chǎng)效應(yìng)管(guǎn)(FET)，将輸入(rù)電(diàn)壓的(de)變(biàn)化(huà)转换为輸出電(diàn)流的(de)變(biàn)化(huà)。FET的(de)增益等于(yú)它的(de)transconductance，被定(dìng)義为輸出電(diàn)流的(de)變(biàn)化(huà)和(hé)輸入(rù)電(diàn)壓變(biàn)化(huà)的(de)比率。市(shì)面(miàn)上(shàng)常見(jiàn)的(de)是(shì)N沟(gōu)和(hé)P沟(gōu)，P沟(gōu)是(shì)低(dī)壓MOS管(guǎn)道(dào)。

　　场(chǎng)效應(yìng)管(guǎn)将電(diàn)场(chǎng)投影到(dào)絕緣层(céng)上(shàng)，影響通(tòng)过(guò)晶體(tǐ)管(guǎn)的(de)電(diàn)流。事(shì)实上(shàng)，由(yóu)于(yú)沒(méi)有(yǒu)電(diàn)流通(tòng)过(guò)这(zhè)个(gè)絕緣體(tǐ)，FET管(guǎn)的(de)GATE電(diàn)流非(fēi)常小。最(zuì)常見(jiàn)的(de)FET是(shì)GATE极(jí)下(xià)的(de)絕緣體(tǐ)，使用(yòng)薄硅。該晶體(tǐ)管(guǎn)稱为金(jīn)屬氧化(huà)物(wù)半導體(tǐ)(MOS)晶體(tǐ)管(guǎn)或(huò)金(jīn)屬氧化(huà)物(wù)半導體(tǐ)场(chǎng)效應(yìng)管(guǎn)(MOSFET)。MOS管(guǎn)更小，更节(jié)能(néng)，因(yīn)此(cǐ)在(zài)多(duō)个(gè)應(yìng)用(yòng)程序中(zhōng)取(qǔ)代(dài)了(le)双(shuāng)极(jí)晶體(tǐ)管(guǎn)。

　　NMOS3400管(guǎn)的(de)優點(diǎn)是(shì)什(shén)麼(me)？

　　适用(yòng)于(yú)放(fàng)大(dà)。由(yóu)于(yú)场(chǎng)效應(yìng)管(guǎn)放(fàng)大(dà)器的(de)輸入(rù)阻抗高(gāo)，耦合可(kě)能(néng)容量(liàng)小。電(diàn)解(jiě)電(diàn)容高(gāo)的(de)輸入(rù)阻抗适用(yòng)于(yú)阻抗转换。多(duō)級放(fàng)大(dà)器常用(yòng)的(de)輸入(rù)級容易用(yòng)作(zuò)可(kě)變(biàn)電(diàn)阻，容易用(yòng)作(zuò)恒流源。電(diàn)路(lù)設計(jì)中(zhōng)電(diàn)子開(kāi)關(guān)的(de)靈活性高(gāo)，栅极(jí)偏置可(kě)以(yǐ)为正(zhèng)、負，晶體(tǐ)管(guǎn)只(zhī)能(néng)在(zài)正(zhèng)偏置下(xià)工作(zuò)，電(diàn)子管(guǎn)只(zhī)能(néng)在(zài)負偏置下(xià)工作(zuò)。另(lìng)外，輸入(rù)阻抗高(gāo)，可(kě)以(yǐ)减少(shǎo)信(xìn)号(hào)源負载(zài)，便于(yú)前(qián)方(fāng)匹(pǐ)配

　　NMOS3400管(guǎn)的(de)測試階(jiē)段(duàn)是(shì)什(shén)麼(me)？

　　MOS管(guǎn)道(dào)的(de)檢測主(zhǔ)要是(shì)判斷MOS管(guǎn)道(dào)的(de)漏電(diàn)、短(duǎn)路(lù)、開(kāi)放(fàng)、擴大(dà)。如(rú)果(guǒ)未測試電(diàn)阻值，則MOS管(guǎn)中(zhōng)有(yǒu)漏電(diàn)現(xiàn)象(xiàng)。具體(tǐ)步驟如(rú)下(xià)：

　　连接門(mén)和(hé)源极(jí)之(zhī)間(jiān)的(de)電(diàn)阻移開(kāi)，多(duō)米紅(hóng)色(sè)黑(hēi)色(sè)笔(bǐ)不(bù)變(biàn)，清(qīng)除電(diàn)阻後(hòu)，表(biǎo)針(zhēn)慢(màn)慢(màn)返回(huí)高(gāo)電(diàn)阻或(huò)無穷大(dà)，莫爾斯管(guǎn)泄漏，保持(chí)不(bù)變(biàn)。然後(hòu)導體(tǐ)将MOS管(guǎn)的(de)栅极(jí)连接到(dào)源极(jí)。指針(zhēn)立即返回(huí)無限遠(yuǎn)时(shí)，MOS保持(chí)不(bù)變(biàn)。

　　将紅(hóng)色(sè)的(de)笔(bǐ)连接到(dào)MOS的(de)源极(jí)S，黑(hēi)色(sè)的(de)笔(bǐ)连接到(dào)MOS管(guǎn)的(de)泄漏，表(biǎo)示好(hǎo)的(de)表(biǎo)針(zhēn)應(yìng)該是(shì)無限的(de)。

　　用(yòng)100K  Omega-200K  Omega電(diàn)阻连接大(dà)門(mén)和(hé)泄漏极(jí)，然後(hòu)把(bǎ)紅(hóng)色(sè)的(de)笔(bǐ)连接到(dào)MOS的(de)源S，把(bǎ)黑(hēi)色(sè)的(de)笔(bǐ)连接到(dào)MOS管(guǎn)的(de)泄漏极(jí)。这(zhè)时(shí)时(shí)針(zhēn)表(biǎo)示的(de)值通(tòng)常为0。在(zài)这(zhè)種(zhǒng)情(qíng)況下(xià)，带(dài)電(diàn)通(tòng)过(guò)該阻力給(gěi)MOS管(guǎn)的(de)网(wǎng)格充電(diàn)，從而(ér)产生(shēng)栅极(jí)電(diàn)场(chǎng)