PMOS3401管(guǎn)的(de)參數

PMOS3401管(guǎn)的(de)主(zhǔ)要參數是(shì)什(shén)麼(me)？

1.PMOS3401管(guǎn)的(de)開(kāi)啟電(diàn)壓VT

導通(tòng)電(diàn)壓(也(yě)稱阈值電(diàn)壓):開(kāi)始(shǐ)在(zài)源极(jí)S和(hé)漏极(jí)D之(zhī)間(jiān)形成(chéng)導電(diàn)沟(gōu)道(dào)所需的(de)栅极(jí)電(diàn)壓；

标(biāo)準的(de)N沟(gōu)道(dào)MOS管(guǎn)，VT約为3~6V;·通(tòng)过(guò)生(shēng)产工藝上(shàng)的(de)改進(jìn)，可(kě)以(yǐ)使MOS管(guǎn)的(de)VT值降到(dào)2~3V。

2. PMOS3401管(guǎn)的(de)直(zhí)流輸入(rù)電(diàn)阻RGS

施加在(zài)栅极(jí)源之(zhī)間(jiān)的(de)電(diàn)壓與(yǔ)栅极(jí)電(diàn)流之(zhī)比

这(zhè)个(gè)特性有(yǒu)时(shí)由(yóu)流经栅极(jí)的(de)栅极(jí)電(diàn)流来(lái)表(biǎo)示。

MOS管(guǎn)的(de)RGS可(kě)以(yǐ)很容易地(dì)進(jìn)行超过(guò)1010Ω。

3. PMOS3401管(guǎn)的(de)泄漏源击穿電(diàn)壓

在(zài) vgs = 0(enhanced)的(de)条(tiáo)件(jiàn)下(xià)，在(zài)增加漏源极(jí)電(diàn)壓的(de)过(guò)程中(zhōng)，導致(zhì)漏源极(jí)電(diàn)壓急劇增加的(de) vds 稱为漏源极(jí)击穿電(diàn)壓

ID急劇增加有(yǒu)两(liǎng)个(gè)原因(yīn):

（1）漏极(jí)附近(jìn)形成(chéng)耗盡层(céng)的(de)雪(xuě)崩發(fà)生(shēng)击穿

(2)排水(shuǐ)源之(zhī)間(jiān)的(de)故障

在(zài)某些(xiē) mos 晶體(tǐ)管(guǎn)中(zhōng)，沟(gōu)道(dào)长(cháng)度(dù)相对(duì)較短(duǎn)，增加 vds 会(huì)使漏區(qū)的(de)耗盡层(céng)一(yī)直(zhí)延伸到(dào)源區(qū)，使沟(gōu)道(dào)长(cháng)度(dù)为零(líng)，直(zhí)接被耗盡层(céng)的(de)電(diàn)场(chǎng)吸引到(dào)漏區(qū)，产生(shēng)較大(dà)的(de) id

4.PMOS3401管(guǎn)的(de)栅源击穿電(diàn)壓BVGS

在(zài)增加栅源電(diàn)壓進(jìn)行过(guò)程中(zhōng)，使栅极(jí)控制電(diàn)流IG由(yóu)零(líng)開(kāi)始(shǐ)發(fà)展(zhǎn)劇增时(shí)的(de)VGS，稱为栅源击穿产生(shēng)電(diàn)壓BVGS。

5. PMOS3401管(guǎn)的(de)低(dī)頻跨導gm

在(zài)VDS为某一(yī)企業固定(dìng)資产數值的(de)条(tiáo)件(jiàn)下(xià) ，漏极(jí)電(diàn)流的(de)微變(biàn)量(liàng)和(hé)引起(qǐ)我(wǒ)们(men)这(zhè)个(gè)發(fà)展(zhǎn)變(biàn)化(huà)的(de)栅源電(diàn)壓微變(biàn)量(liàng)之(zhī)比可(kě)以(yǐ)稱为跨導

Gm 反(fǎn)映了(le)栅源极(jí)電(diàn)壓对(duì)漏极(jí)電(diàn)流的(de)控制能(néng)力，是(shì)表(biǎo)征 mos 管(guǎn)放(fàng)大(dà)能(néng)力的(de)一(yī)个(gè)重(zhòng)要參數

通(tòng)常在(zài)十(shí)分(fēn)之(zhī)幾(jǐ)到(dào)幾(jǐ)毫(háo)安(ān)的(de)範圍內(nèi)。

6. PMOS3401管(guǎn)的(de)導通(tòng)電(diàn)阻RON

導通(tòng)電(diàn)阻RON说(shuō)明(míng)了(le)VDS对(duì)ID的(de)影響 ，是(shì)漏极(jí)特性研究某一(yī)點(diǎn)切線(xiàn)的(de)斜率的(de)倒數

在(zài)飽和(hé)區(qū)，ID幾(jǐ)乎一(yī)个(gè)不(bù)随VDS改變(biàn)，RON的(de)數值可(kě)以(yǐ)很大(dà)，一(yī)般在(zài)幾(jǐ)十(shí)千(qiān)歐到(dào)幾(jǐ)百(bǎi)千(qiān)歐之(zhī)間(jiān)

在(zài)數字(zì)電(diàn)路(lù)中(zhōng)，mos 晶體(tǐ)管(guǎn)通(tòng)常在(zài) vds = 0时(shí)工作(zuò)，所以(yǐ)導通(tòng)電(diàn)阻 ron 可(kě)以(yǐ)被 ron 在(zài)原點(diǎn)近(jìn)似

对(duì)于(yú)一(yī)般的(de)MOS晶體(tǐ)管(guǎn)，RON在(zài)幾(jǐ)百(bǎi)歐姆以(yǐ)內(nèi)。

7. PMOS3401管(guǎn)的(de)极(jí)間(jiān)電(diàn)容

三(sān)个(gè)不(bù)同(tóng)電(diàn)极(jí)材料之(zhī)間(jiān)都存在(zài)着极(jí)間(jiān)電(diàn)容:栅源電(diàn)容CGS 、栅漏電(diàn)容CGD和(hé)漏源電(diàn)容CDS

CGS和(hé)CGD約为1~3pF，CDS約在(zài)0.1~1pF之(zhī)間(jiān)

8. PMOS3401管(guǎn)的(de)低(dī)頻噪聲系(xì)數NF

噪音是(shì)由(yóu)管(guǎn)內(nèi)载(zài)流子運動(dòng)的(de)不(bù)規則引起(qǐ)的(de)。由(yóu)于(yú)它的(de)存在(zài)，一(yī)个(gè)放(fàng)大(dà)器即使沒(méi)有(yǒu)信(xìn)号(hào)輸入(rù)，輸出也(yě)会(huì)出現(xiàn)不(bù)規則的(de)電(diàn)壓或(huò)電(diàn)流變(biàn)化(huà)

噪聲的(de)性能(néng)通(tòng)常用(yòng)噪聲系(xì)數NF来(lái)表(biǎo)示，單位(wèi)为分(fēn)貝(dB)。數值越小，管(guǎn)道(dào)产生(shēng)的(de)噪音越小。

低(dī)頻噪聲影響系(xì)數是(shì)在(zài)低(dī)頻範圍內(nèi)可(kě)以(yǐ)測出的(de)噪聲相關(guān)系(xì)數

场(chǎng)效應(yìng)晶體(tǐ)管(guǎn)的(de)噪聲系(xì)數为幾(jǐ)分(fēn)貝，低(dī)于(yú)双(shuāng)极(jí)性晶體(tǐ)管(guǎn)。