PMOS3401管(guǎn)的(de)應(yìng)用(yòng)領域有(yǒu)哪些(xiē)

PMOS3401管(guǎn)分(fēn)为結型和(hé)絕緣栅型。PMOS3401管(guǎn)（JFET）因(yīn)具有(yǒu)两(liǎng)个(gè)PN結而(ér)得名(míng)，PMOS3401管(guǎn)因(yīn)栅极(jí)和(hé)其他(tā)電(diàn)极(jí)之(zhī)間(jiān)的(de)完全(quán)絕緣而(ér)得名(míng)。目前(qián)，PMOS3401管(guǎn)是(shì)應(yìng)用(yòng)最(zuì)廣泛的(de)絕緣栅PMOS3401管(guǎn)（即金(jīn)屬氧化(huà)物(wù)半導體(tǐ)PMOS3401管(guǎn)MOSFET）。此(cǐ)外,像这(zhè)種(zhǒng)管(guǎn)由(yóu)于(yú)本(běn)身(shēn)應(yìng)用(yòng)領域比較廣，所以(yǐ)一(yī)般在(zài)市(shì)面(miàn)上(shàng)的(de)銷售數量(liàng)会(huì)比較大(dà)。那(nà)麼(me)PMOS3401管(guǎn)的(de)應(yìng)用(yòng)領域有(yǒu)哪些(xiē)呢？

根(gēn)據(jù)沟(gōu)道(dào)半導體(tǐ)數據(jù)的(de)不(bù)同(tóng)，結型和(hé)絕緣栅型分(fēn)别分(fēn)为沟(gōu)道(dào)和(hé)p沟(gōu)道(dào)。若按導電(diàn)模式劃(huà)分(fēn)，FET可(kě)分(fēn)为耗盡型和(hé)增強(qiáng)型。結型PMOS3401管(guǎn)为耗能(néng)型，絕緣栅型PMOS3401管(guǎn)可(kě)以(yǐ)分(fēn)为耗能(néng)型和(hé)增強(qiáng)型这(zhè)两(liǎng)種(zhǒng)。PMOS3401管(guǎn)按照不(bù)同(tóng)的(de)功能(néng)可(kě)分(fēn)为n沟(gōu)道(dào)耗盡型和(hé)增強(qiáng)型；P-通(tòng)道(dào)耗盡型和(hé)增強(qiáng)型。

FET的(de)特點(diǎn)是(shì)南(nán)部電(diàn)网(wǎng)電(diàn)壓UG；控制其漏電(diàn)流ID。與(yǔ)普通(tòng)双(shuāng)极(jí)晶體(tǐ)管(guǎn)相比，FET具有(yǒu)高(gāo)輸入(rù)阻抗、低(dī)噪聲、大(dà)動(dòng)态範圍、低(dī)功耗和(hé)易于(yú)集成(chéng)的(de)特點(diǎn)。

FET的(de)工作(zuò)原理如(rú)图(tú)4-24所示（以(yǐ)結型n沟(gōu)道(dào)管(guǎn)为例）。由(yóu)于(yú)连接到(dào)栅极(jí)g的(de)負偏壓（-UG），在(zài)g附近(jìn)形成(chéng)耗盡层(céng)。

當負偏壓的(de)值（-UG）增加时(shí)，耗盡层(céng)增加，沟(gōu)道(dào)减小，漏電(diàn)流ID减小。負偏壓值（UG）减小时(shí)，耗盡层(céng)减小，沟(gōu)道(dào)變(biàn)大(dà)，漏電(diàn)流ID變(biàn)大(dà)。可(kě)以(yǐ)看(kàn)出，漏极(jí)電(diàn)流ID是(shì)由(yóu)栅极(jí)電(diàn)壓控制的(de)，因(yīn)此(cǐ)FET是(shì)一(yī)種(zhǒng)電(diàn)壓控制器件(jiàn)，即通(tòng)过(guò)改變(biàn)輸入(rù)電(diàn)壓来(lái)控制輸出電(diàn)流的(de)變(biàn)化(huà)，從而(ér)达(dá)到(dào)放(fàng)大(dà)的(de)目的(de)。

和(hé)双(shuāng)极(jí)晶體(tǐ)管(guǎn)一(yī)樣(yàng)，當FET用(yòng)于(yú)放(fàng)大(dà)和(hé)其他(tā)電(diàn)路(lù)时(shí)，其栅极(jí)也(yě)應(yìng)偏置。結型FET的(de)栅极(jí)應(yìng)施加反(fǎn)向(xiàng)偏置電(diàn)壓，即n沟(gōu)道(dào)管(guǎn)應(yìng)加負栅极(jí)電(diàn)壓，p沟(gōu)道(dào)管(guǎn)應(yìng)加正(zhèng)栅极(jí)爪(zhǎo)。應(yìng)向(xiàng)加強(qiáng)絕緣栅极(jí)FET施加正(zhèng)栅极(jí)電(diàn)壓。耗盡型絕緣栅FET的(de)栅電(diàn)壓可(kě)为正(zhèng)、負和(hé)“0”，如(rú)表(biǎo)4-2所示。增加偏置的(de)方(fāng)法(fǎ)有(yǒu)恒偏置法(fǎ)、自(zì)補偿偏置法(fǎ)、直(zhí)接耦合法(fǎ)等。

FET的(de)參數很多(duō)，包(bāo)括直(zhí)流參數、交流參數和(hé)极(jí)限參數，但在(zài)一(yī)般應(yìng)用(yòng)中(zhōng)只(zhī)需注意(yì)以(yǐ)下(xià)主(zhǔ)要參數：飽和(hé)漏源電(diàn)流IDSS、夾斷電(diàn)壓上(shàng)升(shēng)、，（結型晶體(tǐ)管(guǎn)和(hé)耗盡型絕緣栅管(guǎn)，或(huò)on電(diàn)壓UT（加強(qiáng)絕緣栅管(guǎn)），跨導GM，漏源击穿電(diàn)壓Budd，最(zuì)大(dà)功耗PDSM和(hé)最(zuì)大(dà)漏源電(diàn)流idsm。

同(tóng)时(shí)，PMOS3401管(guǎn)在(zài)應(yìng)用(yòng)过(guò)程中(zhōng)还需要考慮到(dào)节(jié)能(néng)以(yǐ)及(jí)成(chéng)本(běn)等方(fāng)面(miàn)的(de)因(yīn)素，建議企業在(zài)應(yìng)用(yòng)过(guò)程中(zhōng)能(néng)夠做好(hǎo)監管(guǎn)工作(zuò)，定(dìng)期(qī)要对(duì)應(yìng)用(yòng)數據(jù)進(jìn)行系(xì)統測量(liàng)。