PMOS3401管道(dào)技術(shù)實(shí)現(xiàn)要(yào)素

本(běn)發(fà)明要(yào)解(jiě)決的(de)問(wèn)題(tí)是(shì)提(tí)供一(yī)種(zhǒng)PMOS3401晶體(tǐ)管及(jí)其(qí)形成(chéng)方(fāng)法(fǎ)。可(kě)以(yǐ)降低(dī)插塞和(hé)源漏區(qū)之間(jiān)的(de)接觸電(diàn)阻。提(tí)高(gāo)形成(chéng)的(de)半導體(tǐ)結構的(de)性(xìng)能(néng)。

为(wèi)了(le)解(jiě)決上述問(wèn)題(tí)。本(běn)發(fà)明提(tí)供了(le)一(yī)種(zhǒng)形成(chéng)PMOS3401管的(de)方(fāng)法(fǎ)，包(bāo)括:

提(tí)供襯底；在(zài)襯底上形成(chéng)栅极(jí)結構。在(zài)栅极(jí)結構两(liǎng)側的(de)襯底上的(de)第(dì)一(yī)外(wài)延层(céng)上形成(chéng)第(dì)一(yī)外(wài)延层(céng)和(hé)第(dì)二(èr)外(wài)延层(céng)，在(zài)第(dì)二(èr)外(wài)延层(céng)中(zhōng)摻雜調制离子。

或(huò)者(zhě)，形成(chéng)第(dì)一(yī)外(wài)延层(céng)和(hé)第(dì)二(èr)外(wài)延层(céng)步驟包(bāo)括以(yǐ)下(xià)步驟:在(zài)栅极(jí)結構两(liǎng)側的(de)襯底上形成(chéng)開(kāi)口(kǒu)；通(tòng)过第(dì)一(yī)外(wài)延工藝将半導體(tǐ)材料填充到(dào)開(kāi)口(kǒu)中(zhōng)。以(yǐ)形成(chéng)第(dì)一(yī)外(wài)延层(céng)；在(zài)第(dì)一(yī)外(wài)延层(céng)上形成(chéng)第(dì)一(yī)外(wài)延层(céng)

與(yǔ)現(xiàn)有(yǒu)技術(shù)相比。本(běn)發(fà)明技術(shù)具有(yǒu)以(yǐ)下(xià)優點(diǎn)。

第(dì)二(èr)外(wài)延层(céng)構成(chéng)與(yǔ)第(dì)一(yī)外(wài)延层(céng)一(yī)起(qǐ)形成(chéng)PMOS3401晶體(tǐ)管的(de)源漏區(qū)，第(dì)二(èr)外(wài)延层(céng)位(wèi)于(yú)第(dì)一(yī)外(wài)延层(céng)上，使得后面(miàn)形成(chéng)的(de)插塞與(yǔ)第(dì)二(èr)外(wài)延层(céng)接觸連(lián)接。由(yóu)于(yú)第(dì)二(èr)外(wài)延层(céng)中(zhōng)存在(zài)調制离子，可(kě)以(yǐ)有(yǒu)效降低(dī)后面(miàn)形成(chéng)的(de)插塞與(yǔ)第(dì)二(èr)外(wài)延层(céng)之間(jiān)的(de)肖特(tè)基勢壘。有(yǒu)效降低(dī)后面(miàn)形成(chéng)的(de)插塞與(yǔ)形成(chéng)的(de)PMOS3401管的(de)源漏區(qū)之間(jiān)的(de)接觸電(diàn)阻。在(zài)本(běn)發(fà)明的(de)其(qí)他(tā)方(fāng)式中(zhōng)。修复离子進(jìn)一(yī)步摻雜第(dì)二(èr)外(wài)延层(céng)中(zhōng)的(de)修复离子，並(bìng)且(qiě)修复离子是(shì)PMOS3401tube；因(yīn)此(cǐ)，修复离子加入(rù)可(kě)以(yǐ)有(yǒu)效抑制第(dì)二(èr)外(wài)延层(céng)中(zhōng)尖峰缺陷的(de)形成(chéng)，有(yǒu)效提(tí)高(gāo)后續形成(chéng)的(de)連(lián)接层(céng)的(de)質(zhì)量(liàng)，降低(dī)前(qián)端放(fàng)電(diàn)現(xiàn)象(xiàng)的(de)發(fà)生(shēng)概率。有(yǒu)助于(yú)形成(chéng)的(de)半導體(tǐ)結構性(xìng)能(néng)的(de)提(tí)高(gāo)。

以(yǐ)上是(shì)PMOS3401管材及(jí)其(qí)成(chéng)型方(fāng)法(fǎ)和(hé)工藝。如(rú)果(guǒ)您需要(yào)了(le)解(jiě)更(gèng)多(duō)。请随时(shí)聯系(xì)我(wǒ)们(men)！